爆燃法球状シリカ DB シリーズ


爆燃法球状シリカ DB シリーズ

酸素濃縮燃焼、ガス化、凝縮、表面処理を経て、金属シリコンから製造されます。

高純度、高い球形化率。低い誘電損失。異形大粒子の含有量が少ない。推奨用途:HDI基板、IC基板、FCCL、LCP材料、ABFフィルム。

爆燃法球状シリカ DB シリーズ

酸素濃縮燃焼、ガス化、凝縮、表面処理を経て、金属シリコンから製造されます。

高純度、高い球形化率。低い誘電損失。異形大粒子の含有量が少ない。推奨用途:HDI基板、IC基板、FCCL、LCP材料、ABFフィルム。

典型的なデータ

試験項目

単位

DB

試験方法

粒度

D50

μm

1.0-3.0

レーザー回折法

D99

μm

3.5-8.0

化学成分

(SiO2)

99.9

XRF

pH

-

6.5

pH計

比表面積

㎡/g

8.2

BET法

球状化率

99.0

SEM

tanδ

-

0.0017

(10 GHz)

パラフィン錠剤法

CTE

ppm/℃

0.50

理論値

典型的なデータ

試験項目

単位

DB

試験方法

粒度

D50

μm

1.0-3.0

レーザー回折法

D99

μm

3.5-8.0

化学成分

(SiO2)

99.9

XRF

pH

-

6.5

pH計

比表面積

㎡/g

8.2

BET法

球状化率

99.0

SEM

tanδ

-

0.0017

(10 GHz)

パラフィン錠剤法

CTE

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