化学法球状シリカ CC シリーズ

化学合成、表面処理、超微細グレード制御などの多段階プロセスを経て製造される高純度球状シリカ微粉です。

高速CCLに適しています。

高純度・低誘電損失。 高い球形化率・優れた流動性・低CTE。 推奨用途：HDI基板、高周波高速CCL、IC基板、FCCL、LCP材料、ABFフィルム。

化学合成、表面処理、超微細グレード制御などの多段階プロセスを経て製造される高純度球状シリカ微粉です。

高速CCLに適しています。

高純度・低誘電損失。 高い球形化率・優れた流動性・低CTE。 推奨用途：HDI基板、高周波高速CCL、IC基板、FCCL、LCP材料、ABFフィルム。

典型的なデータ

試験項目

単位

CC-10

CC-30

CC-40

試験方法

粒度

D50

μm

0.78

1.56

3.7

レーザー回折法

D99

μm

1.20

3.80

6.2

化学成分

(SiO2)

％

99.9

XRF

球状化率

％

100.0

SEM

pH

-

6.5

6.0

5.5

pH計

SSA

m2/g

7.5

5.4

3.5

BET法

tanδ

-

0.0006

(10 GHz)

0.00045

(10 GHz)

0.00036

(10 GHz)

パラフィン錠剤法

CTE

ppm/℃

0.50

理論値

典型的なデータ

試験項目

単位

CC-10

CC-30

CC-40

試験方法

粒度

D50

μm

0.78

1.56

3.7

レーザー回折法

D99

μm

1.20

3.80

6.2

化学成分

(SiO2)

％

99.9

XRF

球状化率

％

100.0

SEM

pH

-

6.5

6.0

5.5

pH計

SSA

m2/g

7.5

5.4

3.5

BET法

tanδ

-

0.0006

(10 GHz)

0.00045

(10 GHz)

0.00036

(10 GHz)

パラフィン錠剤法

CTE

ppm/℃

0.50

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